Флэшки и карты памяти
2 Модули памяти Samsung по 512 Мб и 2 Модули памяти Samsung по 1 Гб Общие характеристики 512 МбТип памятиDDR2 Форм-факторDIMM 240-контактный Тактовая частота800 МГц Пропускная способность6400 Мб/с Объем1 модуль 512 Мб Поддержка ECCнет Буферизованная (Registered)нет Низкопрофильная (Low Profile)нет ТаймингиCAS Latency (CL)5 RAS to CAS Delay (tRCD)5 Row Precharge Delay (tRP)5 ДополнительноКоличество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка Напряжение питания1. 8 В Количество ранков1Общие характеристики 1 Гб Тип памятиDDR2 Форм-факторDIMM 240-контактный Тактовая частота800 МГц Пропускная способность6400 Мб/с Объем1 модуль 1 Гб Поддержка ECCнет Буферизованная (Registered)нет Низкопрофильная (Low Profile)нет ДополнительноНапряжение питания1. 8 В